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HSPHV12-01ETG-C

单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款单通道方向ESD保护二极管，电压击穿阈值为12V，可承受4A峰值静电释放电流，确保电路在高静电环境下依旧稳定运作。其紧凑的28皮法电容值设计，优化了信号完整性，尤其适合于高速数据线路的静电防护，有效提升系统可靠性而不牺牲传输性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSPHV12-01ETG-C
商品编号: C22439861
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005714克(g)

商品参数

商品概述

HSPHV12 - 01ETG - C可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：150W（8/20μs）
工作电压：12V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条数据、控制线
低电容：45pF（典型值）
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	12V
	钳位电压	26V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	150W@8/20us
	击穿电压(VBR)	13.3V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	28pF