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HDF2S6.8MFS,L3M

单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 该ESD静电保护二极管为单向设计，适用于单一信号线路，耐压5V，能承受高达4A的瞬态电流冲击，确保电路免受静电损害。其低至0.5pF的电容值，保障了信号传输的高速与纯净，是保护各类消费电子、通信设备内部敏感组件的理想选择，提升系统整体的抗扰度与可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HDF2S6.8MFS,L3M
商品编号: C22440142
商品封装: SOD-923
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0065克(g)

商品参数

商品概述

HDF2S6.8MFS,L3M 器件可保护敏感的半导体元件免受静电放电及其他电压瞬变事件导致的损坏或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露在静电放电环境下的设计提供了业界领先的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列布局的应用中保护一条单向线路。封装为 SOD-923。

商品特性

超低电容 0.35 pF
低钳位电压
小型封装外形尺寸：0.031" × 0.024" (0.80 mm × 0.60 mm)
低封装高度：0.015" (0.37 mm)
截止电压：5 V
低泄漏电流
响应时间典型值 < 1.0 ns
符合 IEC61000-4-2 第 4 级静电放电保护标准
无铅器件

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	60W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	5.4V
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.5pF