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HVCUT07B1-HD1-G4-08

双向ESD 7V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 这款双向ESD静电保护二极管，针对单路信号防护优化，7V最大连续工作电压，搭配9A峰值脉冲电流处理能力，为电路板穿上隐形盔甲，抵御静电侵扰。8pF的低电容值设计，保障高速信号畅通无阻，是精密电器及通信设备防静电的优选方案，确保性能与安全并进。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HVCUT07B1-HD1-G4-08
商品编号: C22440139
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0074克(g)

商品参数

商品概述

HVCUT07B1-HD1-G4-08可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006-2L。

商品特性

小外形尺寸
低封装高度
在8 x 20 μs脉冲下，峰值功率高达80瓦，低泄漏
响应时间通常小于1 ns
IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
IEC61000 - 4 - 4 4级EFT保护
声明产品材料符合RoHS要求

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	7V
	钳位电压	17V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	80W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	9V
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	8pF