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HPESD5V0S1BA-QF

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：25A

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描述: 这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线定制，能在5V工作电压下稳定运作，提供高达25A的瞬时电流吸收能力，构筑严密的静电防护网。35pF电容值虽稍高，却能确保广泛的信号类型良好通过，是保护电子设备免遭静电损伤的强有力伙伴。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPESD5V0S1BA-QF
商品编号: C22440122
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.015克(g)

商品参数

HPESD5V0S1BA-QF可保护敏感半导体元件免受静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD风险的设计提供了同类防护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为SOD-323。

为高速数据线提供瞬态保护，符合IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (接触放电) 和 ±30kV (空气放电) 标准，以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns) 标准。
峰值功耗：500W (8/20us)。
工作电压：5V。
保护一条VCC或数据线路。
低钳位电压。
低泄漏电流。