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HSTN101050BL30

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款ESD保护二极管为双向单通道型，工作电压可达5V，能承受4A的瞬时电流冲击，有效防护电路免受静电破坏。其电容值低至0.5pF，确保高速信号传输无衰减，是保护精密电子设备和提升系统抗静电干扰能力的优质组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSTN101050BL30
商品编号: C22440133
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0069克(g)

商品参数

商品概述

HSTN101050BL30可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2(ESD) ±8kV（接触）
±15kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4(EFT) 40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：100W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	13V；25V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.5pF