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HDESD3V3S1BL-7B-71

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：7A

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描述: 精心设计的双向ESD防护二极管，为单一信号线路提供全方位静电干扰解决方案。工作电压VRWM为3.3V，确保稳定运行，同时承受7A峰值瞬时电流IPP，有效阻挡静电放电侵害。紧凑的10pF电容值CJ，保证高速信号无损通过，特别适合于保护精密电路，维持设备在电磁环境复杂的条件下依然表现出色，稳定可靠。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HDESD3V3S1BL-7B-71
商品编号: C22440117
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0048克(g)

商品参数

商品概述

HDESD3V3S1BL - 7B - 71可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路的灵活性。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线瞬态保护：符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，接触放电±8kV，空气放电±15kV；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准，40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：84W（8/20μs）
工作电压：3.3V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	7A
	峰值脉冲功率(Ppp)	84W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	3.6V
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF