HPJSD36W-AU
单向ESD 36V截止 峰值浪涌电流:6A@8/20us
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 为您献上这款单向ESD静电保护二极管,专为单一信号通路定制,耐压值高达36V,能承受6A峰值瞬时电流冲击,为高电压系统提供坚不可摧的静电保护伞。虽然电容值为30pF,但针对非高速信号线路,它能完美平衡保护效能与信号传输需求,强化电子设备的静电防护能力,确保运行稳定无虞。
- 商品型号
- HPJSD36W-AU
- 商品编号
- C22440118
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 36V | |
| 钳位电压 | 63V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 6A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 38V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 30pF |
商品概述
HPJSD36W-AU 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,为暴露于静电放电环境的设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性,可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。
商品特性
- 小巧的封装外形尺寸
- 低封装高度
- 击穿电压:36V
- 在 8×20 µs 脉冲条件下,峰值功率高达 300 瓦
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值 < 1 ns
- 符合人体模型 Class 3 等级的静电放电额定值
- IEC61000-4-2 Level 4 静电放电保护
- IEC61000-4-4 Level 4 电快速瞬变脉冲群保护
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求。
- HPESDNC3D5VU
- HESDB24C-AQ
- HPESD5V0S1BA-QF
- HPJSD08W-AU_R1_000A1
- HUCLAMP0511T.TCT
- HCUZ24V,H3F
- HAZ4836-01L
- HCEST363LC5VU
- HAZ9523-01F
- HCESD523NC3V3U
- HSTN101050BL30
- HDESD5V0S1BB-7
- HDF2B6.8ACT,L3F
- HPJSD12W-AU_R1_000A1
- HDUP1105SOQ-7
- HVCUT07B1-HD1-G4-08
- HAZ2025-01H
- HDF2S6.8MFS,L3M
- HESDSLC5V0T2-TP
- HCESD1006UC3V3B
- HCESD1006UC5VBS
- HPESDNC3D5VU
- HESDB24C-AQ
- HPESD5V0S1BA-QF
- HPJSD08W-AU_R1_000A1
- HUCLAMP0511T.TCT
- HCUZ24V,H3F
- HAZ4836-01L
- HCEST363LC5VU
- HAZ9523-01F
- HCESD523NC3V3U
- HSTN101050BL30
- HDESD5V0S1BB-7
- HDF2B6.8ACT,L3F
- HPJSD12W-AU_R1_000A1
- HDUP1105SOQ-7
- HVCUT07B1-HD1-G4-08
- HAZ2025-01H
- HDF2S6.8MFS,L3M
- HESDSLC5V0T2-TP
- HCESD1006UC3V3B
- HCESD1006UC5VBS


