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HTESDH5V0U04P2Q1
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A
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- 描述
- 这款ESD静电保护二极管专为精密电路设计，采用单向保护技术，配置双通道。它能在5V的工作电压下稳定运行，具备3A的峰值脉冲电流处理能力，有效抵御瞬态高压，保障系统安全。低至0.45pF的电容值确保了信号完整性，特别适合于高速数据线路的静电防护，不影响信号传输质量。
- 商品型号
- HTESDH5V0U04P2Q1
- 商品编号
- C22440079
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.45pF |
商品概述
HTESDH5V0U04P2Q1可保护敏感半导体组件免受静电放电和其他电压瞬变事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类保护。该器件为设计人员提供了在阵列不实用的应用中保护两条单向线路的灵活性。
商品特性
- 低漏电流
- 响应时间典型值小于1纳秒
- 符合人体模型3级静电放电等级
- 符合IEC61000-4-2标准4级静电放电防护
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素