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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HESDSBULC5V0LB

单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:4A

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描述
这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值为0.6pF,对电路影响较小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
商品型号
HESDSBULC5V0LB
商品编号
C22440054
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.007克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
峰值脉冲功率(Ppp)60W@8/20us
击穿电压(VBR)6V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.6pF

商品概述

HESDSBULC5V0LB可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间,为暴露于静电放电的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活的解决方案,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

  • 高速数据线的瞬态保护
  • IEC 61000 - 4 - 2(ESD):±20kV(接触),±20kV(空气)
  • IEC 61000 - 4 - 4(EFT):40A(5/50 ns)
  • 峰值功率耗散:60W(8/20μs)
  • 工作电压:5V
  • 超小封装(1.0mm×0.6mm×0.5mm)
  • 保护一条数据、控制线
  • 低电容:0.4pF(典型值)
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流

数据手册PDF