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HESD9N5BU
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 这款单向ESD保护二极管，专为单一信号线路定制，5V最大连续工作电压下稳定可靠。面对静电冲击，能承载4A峰值电流，确保电路安全。其电容值低至0.6pF，极小影响信号传输质量，是保护高性能电子设备免受静电干扰的优选组件，提升系统稳定性与数据安全性。
- 商品型号
- HESD9N5BU
- 商品编号
- C22439969
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品概述
HESD9N5BU可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线瞬态保护：符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，接触放电±20kV，空气放电±20kV；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准，40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：60W（8/20μs）
- 工作电压：5V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：0.4pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流