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HPESDLC2FD3V3BH
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 这款双向ESD保护二极管专为低电压应用设计，电压耐压3.3V，单通道构造适应多样电路需求。4A峰值电流处理性能，为你的设备穿上静电防护服。加之0.3pF的超低电容值，确保信号流畅无阻，是高速数据接口及敏感电路抗静电的理想伴侣。
- 商品型号
- HPESDLC2FD3V3BH
- 商品编号
- C22439967
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 4.2V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
HPESDLC2FD3V3BH可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活地保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：100W（8/20us）
- 工作电压：3.3V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流