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HSDD32C18L01-AT
双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：9A
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- 描述
- 本款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号线设计，工作电压高达18V，能有效抵御双方向静电放电冲击。峰值电流IPP为9A，提供强大保护效能。紧凑的30皮法电容值，确保高速数据传输无延迟，特别适用于需要高速信号完整性和双向防护的便携式电子设备及通信系统，是提升系统鲁棒性的理想元件。
- 商品型号
- HSDD32C18L01-AT
- 商品编号
- C22439962
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 18V | |
| 钳位电压 | 45V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 350W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 30pF |
商品概述
HSDD32C18L01-AT器件用于保护敏感的半导体组件，使其免受静电放电及其他电压瞬变事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露在静电放电环境下的设计提供了同类防护。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为SOD-323。
商品特性
- 为高速数据线路提供瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（静电放电）标准：±30kV（接触放电），±30kV（空气放电）；符合IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群）标准：40A（5/50 ns）
- 峰值功耗：350W（8/20us）
- 工作电压：18V
- 保护一路Vcc或数据线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流