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RFD16N05LSM9A
1个N沟道 耐压:50V 电流:16A
- 描述
- 这些 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。它们适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、电机继电器驱动器及双极晶体管的发射器开关等应用中的逻辑电平 (5V) 驱动电源。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电路电源电压中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09871。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD16N05LSM9A
- 商品编号
- C184094
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道逻辑电平功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越的性能。它们专为与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计，应用于可编程控制器、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管的发射极开关等领域。这种性能通过特殊的栅极氧化层设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置下提供全额定电导，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 16A、50V
- 漏源导通电阻rDS(ON) = 0.047 Ω
- 非钳位感性负载（UIS）安全工作区（SOA）额定曲线（单脉冲）
- 针对5V栅极驱动进行优化设计
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 可编程控制器
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机继电器驱动器
- 双极晶体管的发射极开关