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NTMFS5C423NLT1G
1个N沟道 耐压:40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C423NLT1G
- 商品编号
- C184823
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品概述
NCE30H12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 120A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.5 mΩ（典型值：3.5 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能佳
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源