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FDS6675BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6675BZ
- 商品编号
- C188503
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可将导通电阻降至最低。 该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -11 A时,最大rDS(on) = 13 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -9 A时,最大rDS(on) = 21.8 mΩ
- 扩展的VGS范围(-25V),适用于电池应用
- 典型的HBM ESD保护等级为5.4 KV
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-笔记本电脑中的负载开关应用-便携式电池组中的负载开关应用
- FDP51N25
- FDN361BN
- FDP39N20
- FDPF55N06
- FDS8449
- SBT10100VFCT-TO-0001
- SB2045CT_T0_00001
- MBR1060FCT_TO_10001
- SBT10150LCT_TO_10001
- MBR3060FCT_TO_10001
- KBP208_B0_10001
- GLZJ24D_R1_10001
- GLZJ30C_R1_10001
- GLZJ30B_R1_10001
- GLZ10B_R1_10001
- ZMM5259B_R1_10001
- P6SMB6.8A_R1_00001
- GS1A_R1_00001
- ZMM5262B_R1_10001
- BAT54C_R1_00001
- GLZ24D_R1_10001