温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC655BN
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC655BN
- 商品编号
- C201758
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.3 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A时,最大rDS(on) = 33 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 采用高性能技术实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅且符合RoHS标准