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NTJD4001NT1G
2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
- 描述
- 特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4001NT1G
- 商品编号
- C190019
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 88pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交100+单
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