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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 20uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 1.8V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电流(Ios) | 10pA | |
| 噪声密度(eN) | 30nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 76dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 400uA | |
| 输出电流 | 15mA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 双电源(Vee~Vcc) | 4.5V~18V；-18V~-4.5V |
商品概述
AD648是一对匹配的低功耗、精密单片运算放大器。它兼具低偏置电流（预热后最大10 pA）和低静态电流（最大400 μA），并采用离子注入FET和激光晶圆微调技术制造。AD648在整个共模电压范围内保证输入偏置电流。 经济实惠的J级产品保证最大失调电压小于2 mV，失调电压漂移小于20 μV/℃。这种直流精度水平是通过亚德诺半导体（Analog）的激光晶圆漂移微调工艺实现的。低静态电流和低失调电压漂移的结合，可最大程度减少自热效应导致的输入失调电压变化。该产品提供适用于商业、工业 温度范围的五个等级。 AD648推荐用于任何需要低功耗以及出色直流和交流性能的双电源运算放大器应用。在诸如电池供电的精密仪器前端和CMOS DAC缓冲器等应用中，AD648的低输入失调电压和漂移、低偏置电流以及低1/f噪声的出色组合可减少输出误差。高共模抑制比（“B”级最小82 dB）和高开环增益确保在高阻抗缓冲应用中实现优于12位的线性度。 AD648采用标准双运算放大器引脚配置，提供七种性能等级。AD648J和AD648K适用于0℃至70℃的商业温度范围。AD648和AD648B适用于 -40℃至 +85℃的工业温度范围。AD648S和AD648T适用于 -55℃至 +125℃的温度范围，AD648T*级产品经过MIL - STD - 883B修订版C标准处理。 AD648提供8引脚塑料迷你DIP、CERDIP和SOIC封装。
商品特性
- 直流性能：最大400 μA静态电流
- 预热后最大10 pA偏置电流（AD648B）
- 最大μV失调电压（AD648B）
- 最大10 μV/℃漂移（AD648B）
- 0.7 Hz至70 Hz范围内μV峰 - 峰噪声
- 交流性能：1.8 V/μs压摆率
- 1 MHz单位增益带宽
- 提供塑料迷你DIP、CERDIP和塑料SOIC封装
- 提供符合MIL - STD - 883B标准的产品
- 表面贴装（SOIC）封装提供符合EIA - 481A标准的卷带包装
应用领域
- 电池供电的精密仪器前端
- CMOS DAC 缓冲器
- 高阻抗缓冲应用