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FDS8449
1个N沟道 耐压:40V 电流:7.6A
- 描述
- 此类 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8449
- 商品编号
- C188510
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,6.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些N沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 7.6 A、40 V；VGS = 10 V时，RDS(on) = 29 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 36 mΩ
- 常用表面贴装封装，具备高功率处理能力
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
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