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FDN361BN
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
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- 描述
- N沟道,30V,1.4A,110mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN361BN
- 商品编号
- C188506
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 193pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门设计，可在最大程度降低导通电阻的同时保持卓越的开关性能。 这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路等低压应用，在这些应用中，非常小外形的表面贴装封装需要快速开关和低线路功率损耗。
商品特性
- 1.4 A、30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 110 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 160 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用专有SuperSOT - 3设计的行业标准外形SOT - 23表面贴装封装，具备卓越的热性能和电气性能
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 笔记本电脑-便携式电话-PCMCIA卡-其他电池供电电路