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FDP39N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:39A
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- 描述
- UniFET™ MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。此系列器件适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP39N20
- 商品编号
- C188507
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V,19.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 251W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
优惠活动
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起订量：1 个50个/管
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