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HUF75321P3

1个N沟道耐压:55V 电流:35A

描述: 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。之前的开发型号为 TA75321。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: HUF75321P3
商品编号: C184884
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.16克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻,从而实现出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量,并且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

35A,55V
仿真模型
温度补偿PSPICE和SABER模型
可从网络获取热阻SPICE和SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线
TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
所有产品均在ISO9000和QS9000质量体系认证下进行制造、组装和测试

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	55V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	34mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	93W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	44nC@20V
	输入电容(Ciss)	680pF
	反向传输电容(Crss)	60pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	270pF