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FDY100PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA
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- 描述
- 此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY100PZ
- 商品编号
- C188498
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 该单P沟道MOSFET采用先进的Power Trench工艺设计，以优化VGS = – 2.5v时的RDS(ON)
- ESD保护二极管
优惠活动
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起订量：1 个3000个/圆盘
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