温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDY3000NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此双 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = 2.5V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY3000NZ
- 商品编号
- C188499
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V；850mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
NCE40H21C采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 600 mA, 20 V,RDS(ON) = 700 mΩ @ VGS = 4.5 V
- R DS (ON) = 850 mΩ @ V GS = 2.5 V
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组