温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C670NLT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C670NLT1G
- 商品编号
- C184964
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@53uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货105-107个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单