温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS8434
1个P沟道 耐压:20V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,20V,6.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS8434
- 商品编号
- C185012
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
商品概述
NCE01H21T采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种其他应用。
商品特性
- 在 VGS = -2.7 V 时,RDS(ON) = 0.05 Ω
- -6.5A,-20V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 0.035 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力。
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路