温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS9952A
NDS9952A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N和P沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9952A
- 商品编号
- C184653
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
NCEP30T19G采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- N 沟道 3.7A、30V,RDS(ON) = 0.08 Ω(VGS = 10 V 时)。
- P 沟道 -2.9A、-30V,RDS(ON) = 0.13 Ω(VGS = -10 V 时)。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力。
- 表面贴装封装的双(N 和 P 沟道)MOSFET。
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流应用