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NDS9952A
NDS9952A
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- 描述
- N和P沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9952A
- 商品编号
- C184653
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
NCEP30T19G采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 185A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.1mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.45mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数 - FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行非钳位电感开关（UIS）测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流应用