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MTD3055V实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MTD3055V

1个N沟道 耐压:60V 电流:12A

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描述
60V,12A
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTD3055V
商品编号
C184757
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(R_DS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
  • 高转换效率
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性

应用领域

-同步整流器-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF