温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MTD3055V

1个N沟道耐压:60V 电流:12A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 60V,12A
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MTD3055V
商品编号: C184757
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此,该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且可使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

12 A、60 V。RDS(ON) = 0.15 Ω(VGS = 10 V 时)
低栅极电荷
快速开关速度
低RDS(ON)的高性能技术
TO - 252

应用领域

-同步整流器-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	48W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17nC@10V
	输入电容(Ciss)	500pF
	反向传输电容(Crss)	50pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	180pF