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NTP6410ANG
1个N沟道 耐压:100V 电流:76A
- 描述
- 这是一款 100 V N 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP6410ANG
- 商品编号
- C184252
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,76A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- 超低导通电阻：漏源电压VDS = 20 V，漏源导通电阻RDS(ON) ≤ 24 mΩ，条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 6 A
- 适用于PWM应用
- 适用于负载开关应用
- 表面贴装器件