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NTNUS3171PZT5G
1个P沟道 耐压:20V 电流:150mA
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- 描述
- 小信号 MOSFET ?20 V，?200 mA，单 P 沟道，1.0 x 0.6 mm SOT?1123 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNUS3171PZT5G
- 商品编号
- C184517
- 商品封装
- SOT1123
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4pF |
商品特性
- 单P沟道MOSFET
- 在超小型1.0 x 0.6 mm封装中提供低RDS(on)解决方案
- 栅极电压额定值为1.5 V
- 超薄外形(< 0.5 mm)使其能够轻松适配便携式电子设备等超薄环境
- 这是一款无铅器件
应用领域
-高端开关-高速接口-专为超便携式设备的电源管理优化