温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MUN5212DW1T1G
双NPN偏置电阻晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MUN5212DW1T1G
- 商品编号
- C184108
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@5.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.9V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.2V@100uA,5.0V | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐