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NVTR4503NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
- 描述
- 汽车用功率 MOSFET。30V，2.5A，140 mΩ，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTR4503NT1G
- 商品编号
- C184182
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 领先的平面技术，实现低栅极电荷/快速开关
- 额定电压4.5 V，适用于低电压栅极驱动
- SOT - 23表面贴装，占用空间小（3 x 3 mm）
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换-便携式设备的负载/电源开关-计算机设备的负载/电源开关