温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDG327N
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,20V,1.5A,90mΩ@4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG327N
- 商品编号
- C154513
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@1.8V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化，适用于小型开关稳压器，在小封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。
商品特性
- 1.5 A、20 V。在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 90 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 100 mΩ
- 在VGS = 1.8 V时，RDS(ON) = 140 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低（典型值为4.5 nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理
- 负载开关