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NTR3A30PZT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
- 描述
- 功率 MOSFET，?20 V，?5.5 A，单 P 沟道，2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT?23 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR3A30PZT1G
- 商品编号
- C154807
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.651nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品特性
- 采用2.4 mm x 2.9 mm封装的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 栅极具备ESD二极管保护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 专为便携式产品的电源管理应用优化,如智能手机、媒体平板、便携式媒体播放器(PMP)、数码相机(DSC)、全球定位系统(GPS)等