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NDP6060L
1个N沟道 耐压:60V 电流:48A
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- 描述
- 此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDP6060L
- 商品编号
- C158097
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@5V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 48A、60V。在VGS = 5V时，RDS(ON) = 0.025Ω。
- 驱动要求低，可直接由逻辑驱动器驱动。VGS(TH) < 2.0V。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 提供TO - 220和TO - 263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
- 汽车-DC/DC转换器-PWM电机控制-其他电池供电电路