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IRF7854TRPBF
N沟道 耐压:80V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7854TRPBF
- 商品编号
- C158109
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极至漏极电荷,降低开关损耗
- 完整表征电容,包括有效 COSS,简化设计
- 完整表征雪崩电压和电流
应用领域
- 采用 48V(±10%)或 36V 至 60V ETSI 范围输入的桥式或双开关正激拓扑中的初级侧开关
- 12V 输出的次级侧同步整流开关
- 适用于 48V 非隔离同步降压 DC-DC 应用