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FDC2612
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.1A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC2612
- 商品编号
- C157544
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 725mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 234pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 1.1 A, 200 V。RDS(ON) = 725 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 开关速度快
- 低栅极电荷(典型值8 nC)
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器