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FQT4N20LTF
1个N沟道 耐压:200V 电流:850mA
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT4N20LTF
- 商品编号
- C157545
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,0.425A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 4000 个)个
起订量：4000 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单