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FQT4N20LTF
1个N沟道 耐压:200V 电流:850mA
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT4N20LTF
- 商品编号
- C157545
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,0.425A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 0.85 A、200 V，RDS(on) = 1.35 Ω（典型值）@VGS = 10 V，ID = 0.425 A
- 低栅极电荷（典型值4 nC）
- 低Crss（典型值6 pF）
- 100%雪崩测试
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器