温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD1N80TM
1个N沟道 耐压:800V 电流:1A
- 描述
- N沟道，800V,1A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD1N80TM
- 商品编号
- C157546
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.0 A、800 V，RDS(on) = 20 Ω（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 0.5 A
- 低栅极电荷（典型值5.5 nC）
- 低Crss（典型值2.7 pF）
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器