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FDS6576
1个P沟道 耐压:20V 电流:11A
- 描述
- 此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6576
- 商品编号
- C154552
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.044nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 504pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 扩展的 VGSS 范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷（典型值 43nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理