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FDS6576
1个P沟道 耐压:20V 电流:11A
- 描述
- 此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6576
- 商品编号
- C154552
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.044nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 504pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 15 个)个
起订量：15 个2500个/圆盘
总价金额：
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