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FDG6335N
N沟道 耐压:20V 电流:0.7A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来提高 DC/DC 转换器的总体能效而设计。它非常适合用于小型开关稳压器，在小型封装中提供极低的 RDS(ON) 和门极电荷 (QG)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6335N
- 商品编号
- C154556
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.5V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化，适用于小型开关稳压器，在小封装中提供极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷(QG)。
商品特性
- 0.7 A，20 V。
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 300 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 400 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为1.1 nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装
应用领域
- DC/DC转换器-电源管理-负载开关