温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHC5513T1G
NTHC5513T1G
- 描述
- 此互补（N 和 P 沟道）器件使用小占地面积封装和安森美半导体领先的 RDS(on) 技术，可提高电路效率。 该性能适用于便携式或手持式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHC5513T1G
- 商品编号
- C154612
- 商品封装
- ChipFET-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |