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NTHC5513T1G
NTHC5513T1G
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- 描述
- 此互补（N 和 P 沟道）器件使用小占地面积封装和安森美半导体领先的 RDS(on) 技术，可提高电路效率。 该性能适用于便携式或手持式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHC5513T1G
- 商品编号
- C154612
- 商品封装
- ChipFET-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 尺寸小,比TSOP - 6封装小40%
- 无引脚贴片封装,具备互补对
- ChipFET封装提供与更大封装类似的出色热特性
- ChipFET封装的低导通电阻(RDS(on)),实现高效性能
- 低外形(< 1.10 mm),可用于如便携式电子产品等超薄环境
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-需要电平转换的负载开关应用-DC-DC转换电路-驱动小型无刷直流电机-专为便携式电池供电产品的电源管理应用设计