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FDN327N
1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- 此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN327N
- 商品编号
- C154560
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
这款20V N沟道MOSFET采用了仙童公司的高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2 A、20 V。在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 70 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- 在VGS = 1.8 V时，RDS(ON) = 120 mΩ
- 低栅极电荷（典型值4.5 nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT-3封装
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理