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MJD112-1G
MJD112-1G
- 描述
- 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MJD112-1G
- 商品编号
- C154592
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货69-71个工作日购买数量
(75个/管，最小起订量 3300 个)个
起订量：3300 个75个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单