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NCP3420DR2G

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描述: NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP3420DR2G
商品编号: C154600
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

商品概述

NCP3420是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为30 ns，转换时间为20 ns。凭借宽工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个MOSFET同时导通，进一步降低了开关损耗。浮动顶部驱动器设计可承受高达35 V的VBST电压，瞬态电压高达40 V。通过向输出禁用（OD）引脚施加低逻辑电平，可将两个栅极输出拉低。欠压锁定功能确保在电源电压较低时，两个驱动器输出均为低电平；热关断功能为IC提供过温保护。

商品特性

系统保护热关断
内部下拉电阻抑制任一MOSFET的瞬态导通
抗交叉导通保护电路
一个输入信号控制上下栅极输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET
符合VRM10.x和VRM11.x规范
欠压锁定
提供热增强型封装
这些是无铅器件

应用领域

将12 V轨直接转换为复杂逻辑芯片所需核心电压的大电流多相降压稳压器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.5A
	工作电压	4.6V~13.2V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	传播延迟 tpLH	30ns
	传播延迟 tpHL	30ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	0℃~+85℃