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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP81062MNTWG

VR12兼容同步降压MOSFET驱动器

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描述
NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器,采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装,经过优化,可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时,VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时,双向启用引脚会向控制器提供故障信号。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP81062MNTWG
商品编号
C154581
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.121克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
工作电压4.5V~13.2V
上升时间(tr)16ns
属性参数值
下降时间(tf)11ns
传播延迟 tpLH25ns
传播延迟 tpHL25ns
特性欠压保护(UVP);过压保护(OVP)
工作温度-10℃~+125℃

商品概述

NCP81062是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。 自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案。当栅极驱动器在过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)情况下检测到故障时,双向使能(EN)引脚可向控制器提供故障信号。此外,欠压锁定功能可确保在电源电压较低时输出为低电平。

商品特性

  • 更快的上升和下降时间
  • 自适应抗交叉导通电路
  • 集成自举二极管
  • 预过压功能
  • 零电流检测(ZCD)
  • 浮动顶部驱动器可承受高达35 V的升压电压
  • 输出禁用控制可关闭两个MOSFET
  • 欠压锁定
  • 轻载条件下的节能运行
  • 可直接与NCP6151及其他兼容的PWM控制器接口
  • 热增强型封装
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 台式机系统电源解决方案
  • NCP81062栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器,专为同步降压转换器拓扑中的N沟道MOSFET驱动而设计。该栅极驱动器针对台式机应用进行了优化。

数据手册PDF

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