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FDC6333C
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 描述
- 此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6333C
- 商品编号
- C154557
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 282pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
这些N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用更大、更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。
商品特性
- Q1:2.5 A、30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 95 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 150 mΩ
- Q2:-2.0 A、30 V。VGS = -10 V时,RDS(ON) = 150 mΩ
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 220 mΩ
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT - 6封装:占位面积小(比SO - 8小72%);厚度薄(1 mm厚)
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器