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FDN352AP
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.3A
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- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN352AP
- 商品编号
- C154553
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合低压和电池供电应用，在这些应用中，需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现低线路功率损耗。
商品特性
- 1.3 A,-30V
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 180 mΩ
- -1.1 A,-30V
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 300 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本。引脚排列与SOT - 23相同,但功率处理能力提高30%。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- SuperSOT - 3