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FDS6676AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:14.5A
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- 描述
- N沟道,30V,14.5A,6mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6676AS
- 商品编号
- C154554
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
FDS6676AS 旨在替代同步 DC:DC 电源中的单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。FDS6676AS 采用仙童半导体的单片同步场效应晶体管 (SyncFET) 技术，集成了肖特基二极管。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) 最大值 = 7.25 mΩ
- 14.5 A、30 V。在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) 最大值 = 6.0 mΩ
- 集成同步场效应晶体管 (SyncFET) 肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值为 45nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON) 和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-DC/DC 转换器-低端笔记本电脑