温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGD6NC60HDT4
N沟道600V -7A DPAK封装，超快功率MESHTM IGBT
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了具有卓越性能的先进 IGBT 系列——PowerMESH™ IGBT。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化，以便在保持低电压降的同时实现极高的开关性能（缩短下降时间 tfall）。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD6NC60HDT4
- 商品编号
- C154521
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 输出电容(Coes) | 32pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 205pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 76ns | |
| 导通损耗(Eon) | 20uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 68uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 21ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 5.5pF |
相似推荐
其他推荐